Продукция
Система на кристалле (SoC) Loongson 2P0500
Loongson 2P0500 — это система-на-кристалле (SoC), предназначенная для применения в качестве основного контроллера однофункциональных и многофункциональных принтеров, являющаяся ключевым элементом управления печатающе-сканирующих устройств.
Описание
маркер
Описание продукта
Loongson 2P0500 — это система-на-кристалле (SoC), предназначенная для применения в качестве основного контроллера однофункциональных и многофункциональных принтеров, являющаяся ключевым элементом управления печатающе-сканирующих устройств.
Чип построен на гетерогенной архитектуре с ядрами разного класса производительности и включает одно высокопроизводительное ядро Loongson LA364 и одно энергоэффективное ядро LA132, а также 512 КБ общей кэш-памяти второго уровня (L2).
Микросхема интегрирует контроллер DDR3, интерфейсы GMAC、USB、печатный интерфейс、интерфейс сканирования、eMMC、PWM и другие функциональные модули.
Кроме того, реализован модуль управления энергопотреблением, что позволяет одному чипу обеспечивать работу различных типовых приложений, включая печать, сканирование и копирование, с оптимальным соотношением производительности и энергозатрат.
связаться с нами
Сопутствующие популярные продукты
Компонент широкополосного фазированного приемника 1,1,6 ГГц ~ 8,4 ГГц
Внешние размеры: 590 мм × 160 мм × 45 мм (без учета высоты монтажных ушек и разъемов)
WDM67102
WDM67102 — это модуль понижающего преобразователя со встроенными силовыми МОП-транзисторами и дросселем. WDM67102 использует архитектуру COT для быстрого переходного процесса.
Интегральный микроконтроллер Loongson 1C203
Микроконтроллер Loongson 1C203 предназначен для применения в области управления электродвигателями. В качестве вычислительного ядра используется процессор Loongson LA132.
Компоненты микрополоскового вентиля и циркулятора
120 Вт, длительность импульса 20 мкс, коэффициент заполнения 30%
YX110156-1216P43
Этот микросхемный усилитель мощности изготовлен на основе 0,25 мкм технологии GaN HEMT. Диапазон рабочих частот охватывает 1,2 ГГц – 1,6 ГГц, коэффициент усиления по мощности превышает 17 дБ, типичная насыщенная выходная мощность составляет 43 дБм, а типичный коэффициент добавленной мощности (PAE) — 60 %. Микросхема может работать как в импульсном, так и в непрерывном (CW) режиме. Заземление осуществляется через сквозные отверстия на обратной стороне кристалла. Типовое рабочее напряжение: Vd = +28 В, Vg = −2,6 В.
HEG224A
HEG224A — это внутренне согласованный транзистор мощности, изготовленный на основе отечественных материалов и технологии GaN. Микросхема выполнена с использованием зрелой тонкоплёночной гибридно-интегральной технологии и предназначена для применения в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах связи, обеспечивая высокую выходную мощность, высокий КПД и устойчивость к температурным воздействиям.
Модуль усилителя мощности (широкополосный)
Модуль усилителя мощности является ключевым устройством в таких областях, как радиосвязь, спутниковая связь и медицинское оборудование, и используется для усиления сигналов радиочастоты малой мощности до высокой выходной мощности.
A коробка
Первый чип — это многофункциональный GaAs MMIC-чип с функциями связи, фильтрации и усиления. С помощью переключателей можно выбирать различные режимы входного сигнала, а также осуществлять его фильтрацию и усиление.
NVMe-подмодуль памяти
Это плата хранения данных, основанная на отечественной платформе Zynq, с индивидуальной архитектурой. Основной процессор — программируемая система на кристалле FMQL45T900. Части PS и PL оснащены по одному модулю DDR3 SDRAM каждая.
Усилитель мощности ZPA2M30-1000
Высокопроизводительный СВЧ-усилительный прибор, малые габариты, высокая эффективность, небольшой вес, большая длительность импульса, высокий коэффициент заполнения, отличное охлаждение, простая технология сборки, удобство подключения и эксплуатации, отличные характеристики, надежная работа. Размеры входного и выходного интерфейсов могут быть изготовлены по требованиям заказчика.
Модуль TR Ku-диапазона, 2D фазированная решетка
Метод сканирования: Двумерное электронное сканирование, общая апертура для передачи и приема, поддержка предустановленных кодов управления волнами
Усилитель мощности — S-диапазон ZPA2700M3500-100
Высокопроизводительное СВЧ-усилительное устройство, сверхкомпактные размеры, высокая эффективность, малый вес, широкий рабочий диапазон частот, большой импульсный фронт, высокий коэффициент заполнения. Обеспечивает эффективное охлаждение, простую технологию сборки, стабильные характеристики и надежную работу.
B коробка
SIP-модуль нижней частоты для K-диапазона, интегрирующий СВЧ-усилитель, СВЧ-фильтр, смеситель, цифровой аттенюатор, промежуточночастотный (IF) усилитель и фильтр, а также умножитель, усилитель и фильтр гетеродина. Модуль реализует усиление, фильтрацию и преобразование K-диапазонного сигнала в промежуточную частоту.
Усилители мощности ZPA1030M1090-1200 / ZPA960M1215-800
Высокопроизводительные СВЧ-усилительные устройства, компактные размеры, малый вес, высокая эффективность, эффективное охлаждение. Простая технология сборки, удобство подключения и эксплуатации, стабильные характеристики, надежная работа. Размеры входных и выходных интерфейсов могут быть изготовлены по требованиям заказчика.
Метеорологический радар с фазово-резонансной TR-схемой
Высокоэффективные плоские антенные решетки (двойная круговая поляризация K/Ka, двойная линейная поляризация Ku и двойная линейная поляризация двухчастотной частоты) отличаются высокой эффективностью и широкой полосой пропускания. Антенные решетки с общей апертурой (L/X, L/S/C и S/X) обеспечивают высокую изоляцию, низкую кросс-поляризацию и широкую полосу пропускания.
HEG835A-1
HEG835A-1 — это внутренне согласованный мощный транзистор, изготовленный на основе отечественных материалов и технологий с применением нитрида галлия (GaN). Устройство выполнено по зрелой технологии тонкоплёночной гибридной интеграции и предназначено для использования в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах, таких как телекоммуникационное оборудование.
