Продукция
Представление бытовой системы накопления энергии EVE
Комплексные решения и услуги в области систем накопления энергии — от ячеек до интегрированных систем.
Описание
маркер
связаться с нами
Сопутствующие популярные продукты
A коробка
Первый чип — это многофункциональный GaAs MMIC-чип с функциями связи, фильтрации и усиления. С помощью переключателей можно выбирать различные режимы входного сигнала, а также осуществлять его фильтрацию и усиление.
D2000 COMe-ядро-модуль
Основанный на стандарте COMe ядро-модуль включает восьмиядерный процессор Phytium TengRui D2000, чип-мост X100, 8 ГБ DDR4 и широкий набор внешних интерфейсов. Модуль отличается компактной конструкцией, высокой степенью интеграции, работает под управлением операционной системы Kylin, обладает высокой масштабируемостью и удобством применения.
YXWIF300
YXWIF300 — это универсальная подсистема промежуточной частоты (ПЧ), предназначенная для цифровой обработки низкоуровневых входных сигналов в диапазоне частот 10–300 МГц с полосой пропускания 6,8–270 кГц.
M28S5C25X
Диапазон входного постоянного напряжения: 4,9–5,1 В Выходной постоянный ток: 1,5 А Вход и выход изолированы от корпуса
Передняя часть радиочастотного приемника c фазированной антенной решеткой K-диапазона
≤4,0° (подмассив, тестирование на уровне системы) 0°–360° (азимут), 20°–90° (угол возвышения), угол сканирования ≥70° (тестирование на системном уровне)
Модуль TR Ku-диапазона, 2D фазированная решетка
Метод сканирования: Двумерное электронное сканирование, общая апертура для передачи и приема, поддержка предустановленных кодов управления волнами
WDM67102
WDM67102 — это модуль понижающего преобразователя со встроенными силовыми МОП-транзисторами и дросселем. WDM67102 использует архитектуру COT для быстрого переходного процесса.
HEG224A
HEG224A — это внутренне согласованный транзистор мощности, изготовленный на основе отечественных материалов и технологии GaN. Микросхема выполнена с использованием зрелой тонкоплёночной гибридно-интегральной технологии и предназначена для применения в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах связи, обеспечивая высокую выходную мощность, высокий КПД и устойчивость к температурным воздействиям.
HEG891A
HEG891A — это внутренне согласованный мощный транзистор, изготовленный на основе отечественных материалов и технологий нитрида галлия (GaN). Он выполнен по зрелой технологии тонкоплёночной гибридной интеграции и предназначен для обеспечения высоких требований по выходной мощности, эффективности и температурной устойчивости в радиочастотных и микроволновых системах связи.
Модуль H28S5H25HF
В H28S5H25HF используется схема с несимметричной широтно-импульсной модуляцией, оптронная развязка и двойная замкнутая цепь напряжения и тока. Он обеспечивает стабильный выходной сигнал, минимальный температурный дрейф, высокую динамику и надёжную нагрузочную способность. Максимальная выходная мощность составляет 25 Вт.
Модуль усилителя мощности (высокой мощности)
Модуль усилителя мощности является ключевым устройством в таких областях, как спутниковая связь и медицинское оборудование, и используется для усиления сигналов радиочастоты малой мощности до высокой выходной мощности.
Модуль усилителя мощности (широкополосный)
Модуль усилителя мощности является ключевым устройством в таких областях, как радиосвязь, спутниковая связь и медицинское оборудование, и используется для усиления сигналов радиочастоты малой мощности до высокой выходной мощности.
YX110156-1216P43
Этот микросхемный усилитель мощности изготовлен на основе 0,25 мкм технологии GaN HEMT. Диапазон рабочих частот охватывает 1,2 ГГц – 1,6 ГГц, коэффициент усиления по мощности превышает 17 дБ, типичная насыщенная выходная мощность составляет 43 дБм, а типичный коэффициент добавленной мощности (PAE) — 60 %. Микросхема может работать как в импульсном, так и в непрерывном (CW) режиме. Заземление осуществляется через сквозные отверстия на обратной стороне кристалла. Типовое рабочее напряжение: Vd = +28 В, Vg = −2,6 В.
Силовой модуль M12S100AIR-GC
AID: Трехфазный или однофазный преобразователь переменного тока в постоянный; DID: Преобразователь постоянного тока в постоянный; AIA: Однофазный преобразователь переменного тока в переменный (с переменной частотой); DIA: Преобразователь постоянного тока в переменный (инвертор).
VI1200F280S28TSPL 245-380 В Цельный кирпич
Защита от перегрузки по току, короткого замыкания и перенапряжения на выходе, защита от пониженного входного напряжения и защита от перегрева
CWQ2P100T
Модель продукта: CWQ2P100T Технологический процесс: 28 нм Количество логических элементов: 100K (адаптивная структура LUT6) Количество DSP-блоков: 240 (каждый включает один умножитель 25×18, один сумматор и один накопитель) Объем распределённой RAM: 1 Мбит Объем блочной RAM: 4.8 Мбит
