Продукция
A коробка
Первый чип — это многофункциональный GaAs MMIC-чип с функциями связи, фильтрации и усиления. С помощью переключателей можно выбирать различные режимы входного сигнала, а также осуществлять его фильтрацию и усиление.
Описание
маркер
Описание продукта
1-й чип
Первый чип — это многофункциональный GaAs MMIC-чип с функциями связи, фильтрации и усиления. С помощью переключателей можно выбирать различные режимы входного сигнала, а также осуществлять его фильтрацию и усиление.
Рабочий диапазон частот: 2–18 ГГц; типовое усиление на 2 ГГц — 14 дБ, на 18 ГГц — 21 дБ; входной P-1 больше -15 дБм; трёхступенчатый аттенюатор с диапазоном 0–35 дБ, шаг 5 дБ; коэффициент усиления на выходе ответвлённого канала 4–11 дБ, амплитудная согласованность ±1 дБ, фазовая согласованность ±8°; развязка переключателей более 45 дБс.
Питание: VDD=+5 В, VEE=-5 В, статический рабочий ток <90 мА; управление аттенюатором 0/+5 В (логика). Задняя поверхность чипа является как постоянным, так и переменным «земляным» контактом.
Продукт выпускается в виде открытого чипа, размеры: 3 × 3 × 0,1 мм.
2-й чип
Второй чип — многофункциональный GaAs MMIC-чип приёмопередатчика, обеспечивающий усиление как принимаемого, так и передаваемого сигнала.
Чип предназначен для работы в К-диапазоне. Типовое усиление приёмного канала — 24 дБ, неравномерность усиления в полосе не более 0,7 дБ; типовое значение коэффициента шума — 1,8 дБ; выходная мощность при 1 дБ компрессии >4,5 дБм; типовое значение КСВ на входе/выходе — 1,5; подавление паразитных сигналов >60 дБс; энергопотребление приёмного канала — 0,06 Вт. Для передающего канала: типовое усиление 24 дБ, неравномерность усиления в полосе не более 1,5 дБ; выходная мощность при 3 дБ компрессии >22 дБм; типовое значение КСВ на входе/выходе — 1,6; подавление паразитных сигналов >60 дБс; энергопотребление — 0,75 Вт.
Питание: VD=+5 В, VG=+5 В; управление режимами приём/передача осуществляется логикой 0/-5 В. Задняя поверхность чипа используется как для постоянного, так и для переменного заземления.
Продукт выпускается в виде открытого чипа, размеры: 2,2 × 1,8 × 0,1 мм.
3-й чип
Третий чип — волновой управляющий чип. Основная функция заключается в преобразовании входного последовательного сигнала в параллельный для дальнейшего внешнего управления.
Изготовлен по технологии CMOS, поддерживает конфигурацию ID чипа через выводы, имеет встроенную схему преобразования «последовательный–параллельный» и два набора регистров с функцией чтения/записи, позволяющих хранить до 32 наборов 24-разрядных управляющих сигналов с возможностью быстрой коммутации. Встроена базовая логика, что упрощает использование. Выходные уровни соответствуют TTL.
Продукт отличается простотой управления, большим количеством выходных разрядов, низким энергопотреблением и высокой скоростью обработки. Может широко применяться для управления цифровыми фазовращателями, аттенюаторами и переключателями.
4-й чип
Четвёртый чип — четырёхканальный чип управления амплитудой и фазой в диапазоне 6–18 ГГц. Интегрирует в себе СВЧ-усилитель, 6-разрядный цифровой аттенюатор, 6-разрядный цифровой фазовращатель, схему управления питанием, интерфейс SPI и волновой управляющий блок. Реализует функции усиления СВЧ-сигнала, а также управления амплитудой и фазой. Может выдавать управляющие сигналы для внешних усилителей: питание, управление затвором, приёмопередающие ключи.
Диапазон частот приёма и передачи: 6–18 ГГц. Передача: усиление 5 дБ, выходная мощность при 1 дБ компрессии ≥6 дБм. Приём: усиление 0 дБ, коэффициент шума 15 дБ, входная мощность при 1 дБ компрессии -7 дБм. RMS-точность аттенюации лучше 0,5 дБ, RMS-точность фазового сдвига лучше 4°.
Питание: СВЧ-часть +1,8 В, управляющая часть +3,3 В. Поддержка SPI (четырёхпроводный протокол) для конфигурации аттенюации и фазовращения. Поддержка двойной буферизации регистров аттенюации и фазовращателя для быстрой перестройки амплитуды и фазы.
Продукт выпускается в виде открытого чипа размером 5,5 × 4,6 мм. По запросу возможна BGA-упаковка (размер корпуса 8 × 8 мм).
связаться с нами
Сопутствующие популярные продукты
XZM32F407
Полная серия XZM32F407 включает: 3 × 12-битных АЦП, 2 × 12-битных ЦАП, 1 низкопотребляющий RTC, 4 USART, 2 UART, 3 I²C с поддержкой SMBus/PMBus, 3 SPI (2 из которых могут быть использованы как I²S), 2 CAN, 3 контроллера USB_OTG, 1 интерфейс SDIO, 1 Ethernet, таймеры, модуль расчёта CRC и 96-битный уникальный идентификатор устройства.
YXW9009
YXW9009 — широкополосный SDR-радиочастотный трансивер, предлагающий двухканальные передатчики и приёмники со встроенным синтезатором частот.
Радиопоглощающий материал
Поглощающие материалы — это тип композитного материала, способного поглощать или ослаблять энергию падающих электромагнитных волн.
Силовой модуль M12S100AIR-GC
AID: Трехфазный или однофазный преобразователь переменного тока в постоянный; DID: Преобразователь постоянного тока в постоянный; AIA: Однофазный преобразователь переменного тока в переменный (с переменной частотой); DIA: Преобразователь постоянного тока в переменный (инвертор).
M5S5C1R
Диапазон входного постоянного напряжения: от 4,75 до 5,25 В Цельнометаллический корпус со всех шести сторон обеспечивает повышенную электромагнитную совместимость Высокая устойчивость к ударам и вибрации
B коробка
SIP-модуль нижней частоты для K-диапазона, интегрирующий СВЧ-усилитель, СВЧ-фильтр, смеситель, цифровой аттенюатор, промежуточночастотный (IF) усилитель и фильтр, а также умножитель, усилитель и фильтр гетеродина. Модуль реализует усиление, фильтрацию и преобразование K-диапазонного сигнала в промежуточную частоту.
Электронные микроволновые компоненты
Магнитные материалы сердечника, магнитные компоненты, СВЧ-устройства, печатные платы и конструктивные элементы производятся на собственном заводе.
STD3256M16
Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) STD3256M16 объёмом 4 Гбит представляет собой микросхему памяти DDR3 DRAM с удвоенной скоростью передачи данных, изготовленную по высокоскоростной КМОП-технологии. Она имеет 8-банковую структуру, каждый из которых имеет объём 32 Мбит x 16 бит.
Метеорологический радар с фазово-резонансной TR-схемой
Высокоэффективные плоские антенные решетки (двойная круговая поляризация K/Ka, двойная линейная поляризация Ku и двойная линейная поляризация двухчастотной частоты) отличаются высокой эффективностью и широкой полосой пропускания. Антенные решетки с общей апертурой (L/X, L/S/C и S/X) обеспечивают высокую изоляцию, низкую кросс-поляризацию и широкую полосу пропускания.
D2000 COMe-ядро-модуль
Основанный на стандарте COMe ядро-модуль включает восьмиядерный процессор Phytium TengRui D2000, чип-мост X100, 8 ГБ DDR4 и широкий набор внешних интерфейсов. Модуль отличается компактной конструкцией, высокой степенью интеграции, работает под управлением операционной системы Kylin, обладает высокой масштабируемостью и удобством применения.
XAD7606
В состав входят двухпорядковый антиалиасинговый фильтр, усилитель с функцией хранения отслеживания, 16-битный последовательный приближенный АЦП с перераспределением заряда, гибкий цифровой фильтр, источник опорного напряжения 2,5 В, буфер опорного напряжения, а также высокоскоростные последовательный и параллельный интерфейсы.
Встроенная изоляция, циркулятор и фильтр низких частот
Встроенная изоляция, циркулятор и фильтр низких частот
Компоненты микрополоскового вентиля и циркулятора
120 Вт, длительность импульса 20 мкс, коэффициент заполнения 30%
Модуль усилителя мощности (широкополосный)
Модуль усилителя мощности является ключевым устройством в таких областях, как радиосвязь, спутниковая связь и медицинское оборудование, и используется для усиления сигналов радиочастоты малой мощности до высокой выходной мощности.
Модуль TR Kka с двухлучевой фазированной решеткой
Внешние размеры: 550 мм × 300 мм × 77 мм (без учета высоты монтажных кронштейнов и разъемов)
