
HEG197U — это внутренне согласованный транзистор мощности, изготовленный на основе отечественных материалов и технологии GaN.
HEG197U — это внутренне согласованный транзистор мощности, изготовленный на основе отечественных материалов и технологии GaN.
Микросхема выполнена с использованием зрелой тонкоплёночной гибридно-интегральной технологии и оснащена функциями защиты от отрицательного напряжения и модуляции питания.
Устройство отвечает требованиям высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых систем связи, обеспечивая высокую мощность, высокий КПД и устойчивость к температурным воздействиям.