
HEG224A — это внутренне согласованный транзистор мощности, изготовленный на основе отечественных материалов и технологии GaN.
Микросхема выполнена с использованием зрелой тонкоплёночной гибридно-интегральной технологии и предназначена для применения в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах связи, обеспечивая высокую выходную мощность, высокий КПД и устойчивость к температурным воздействиям.
HEG224A — это внутренне согласованный транзистор мощности, изготовленный на основе отечественных материалов и технологии GaN.
Микросхема выполнена с использованием зрелой тонкоплёночной гибридно-интегральной технологии и предназначена для применения в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах связи, обеспечивая высокую выходную мощность, высокий КПД и устойчивость к температурным воздействиям.
Условия измерений:
Tc = +25 °C, система 50 Ω, длительность импульса — 100 мкс, скважность — 10 %,
VDS = 28 В, Idq = 200 мА, VGS = –2,2 В (типичное значение)
| Параметр | Нормативное значение | Типичное значение | Единицы измерения |
| Рабочий диапазон частот | 1,16 – 1,36 | — | ГГц |
| Насыщенная выходная мощность | ≥ 48 | 48,4 | dBm |
| Равномерность усиления по мощности | ≤ 0,6 | 0,5 | dB |
| Коэффициент усиления по мощности | ≥ 22 | 22,5 | dB |
| Коэффициент добавленной мощности (PAE) | ≥ 65 | 68 | % |
| Тепловое сопротивление | — | 0,8 | °C/Вт |
| Примечание: Значение теплового сопротивления приведено для справки. Окончательные технические параметры и габаритные размеры определяются техническими условиями. |
|||