
HEG835A-1 — это внутренне согласованный мощный транзистор, изготовленный на основе отечественных материалов и технологий с применением нитрида галлия (GaN). Устройство выполнено по зрелой технологии тонкоплёночной гибридной интеграции и предназначено для использования в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах, таких как телекоммуникационное оборудование.
HEG835A-1 — это внутренне согласованный мощный транзистор, изготовленный на основе отечественных материалов и технологий с применением нитрида галлия (GaN). Устройство выполнено по зрелой технологии тонкоплёночной гибридной интеграции и предназначено для использования в высокопроизводительных радиочастотных и микроволновых системах, таких как телекоммуникационное оборудование. Транзистор обеспечивает высокую выходную мощность, высокий коэффициент полезного действия и обладает высокой термической стойкостью, что обеспечивает надёжную работу в широком диапазоне температур и эксплуатационных условий.
Условия измерения:
Tc = +25 °C, система 50 Ω, длительность импульса — 1 мс, скважность — 10 %
VDS = 28 V, VGS = –5 V
| Параметр | Номинальное значение | Типичное значение | Единица измерения |
| Рабочая частота | 5.2 – 5.9 | — | GHz |
| Насыщенная выходная мощность | ≥ 53 | 53.5 | dBm |
| Плоскостность усиления по мощности | ≤ 1.0 | 0.8 | dB |
| Коэффициент усиления по мощности | ≥ 26 | 26.5 | dB |
| Добавочный КПД | ≥ 50 | 55 | % |
| Тепловое сопротивление | — | 0.4 | °C/W |
| Примечание: Значения приведены только для справки; фактические характеристики могут отличаться в зависимости от технологии и условий испытаний. | |||