
HEG891A — это внутренне согласованный мощный транзистор, изготовленный на основе отечественных материалов и технологий нитрида галлия (GaN). Он выполнен по зрелой технологии тонкоплёночной гибридной интеграции и предназначен для обеспечения высоких требований по выходной мощности, эффективности и температурной устойчивости в радиочастотных и микроволновых системах связи.
HEG891A — это внутренне согласованный мощный транзистор, изготовленный на основе отечественных материалов и технологий нитрида галлия (GaN). Он выполнен по зрелой технологии тонкоплёночной гибридной интеграции и предназначен для обеспечения высоких требований по выходной мощности, эффективности и температурной устойчивости в радиочастотных и микроволновых системах связи.
Tc = +25 °C, система 50 Ω, длительность импульса — 500 μs, скважность — 5 %,
VDS = 32 V, VGS = –5 V
| Параметр | Номинальное значение | Типичное значение | Единица |
| Рабочая частота | 2.7 – 3.4 | — | GHz |
| Насыщенная выходная мощность | ≥ 53.5 | 54.0 | dBm |
| Равномерность усиления | ≤ 1.0 | 0.8 | dB |
| Коэффициент усиления по мощности | ≥ 11 | 11.5 | dB |
| Добавочный КПД | ≥ 58 | 63 | % |
| Тепловое сопротивление | — | 0.3 | °C/W |
| Примечание: Тепловое сопротивление указано в единицах °C/Вт. Окончательные характеристики и результаты испытаний могут отличаться в зависимости от технологии и условий измерений. |
|||