Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) STD3256M16 объёмом 4 Гбит представляет собой микросхему памяти DDR3 DRAM с удвоенной скоростью передачи данных, изготовленную по высокоскоростной КМОП-технологии. Она имеет 8-банковую структуру, каждый из которых имеет объём 32 Мбит x 16 бит.
Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) STD3256M16 объёмом 4 Гбит представляет собой микросхему памяти DDR3 DRAM с удвоенной скоростью передачи данных, изготовленную по высокоскоростной КМОП-технологии. Она имеет 8-банковую структуру, каждый из которых имеет объём 32 Мбит x 16 бит. Сигналы команд и адреса схемы синхронизированы внешним тактовым сигналом (CLK), а сигнал данных – сигналом DQS. Логическое состояние каждого сигнала определяется дискретизацией по переднему фронту CLK. STD3256M16 представляет собой микросхему памяти DDR3L SDRAM объёмом 4 Гбит в пластиковом корпусе. Ключевые показатели производительности следующие:
Ø Рабочее напряжение: VCC = VCCQ = 1,35 В ± 0,067 В, обратно совместимо с 1,5 В ± 0,075 В
Ø Объём памяти: 4 Гбит
Ø Структура памяти: 256 Мбит x 16 (32 Мбит × 16 × 8 банков)
Ø Скорость передачи данных: 1866 Мбит/с
Ø Удвоенная скорость передачи данных: сигнал данных фиксируется по обоим фронтам системного тактового сигнала
Ø Программируемая задержка CAS
Ø Фиксированная длина пакета: 8
Ø Поддержка режимов самообновления и автоматического обновления
Ø Интервал автоматического обновления:
Ø -64 мс, TC менее 85 °C
Ø -32 мс, TC более 85 °C
Ø Корпус: BGA96, в пластиковом корпусе
Ø Диапазон температур: A2, от -55°C до +125°C (военный температурный класс)
A1, от -40°C до +105°C, автомобильный класс
I, от -40°C до +95°C, промышленный класс