Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) STD4512M16 объёмом 8 Гбит представляет собой микросхему памяти DDR4 DRAM с двойной скоростью передачи данных, изготовленную по высокоскоростной КМОП-технологии.
Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) STD4512M16 объёмом 8 Гбит представляет собой микросхему памяти DDR4 DRAM с двойной скоростью передачи данных, изготовленную по высокоскоростной КМОП-технологии. Она использует однокристальную структуру (DIE), состоящую из двух групп банков и четырёх банков, каждый размером 64 Мбайт x 8 бит. Сигналы команд и адреса схемы синхронизированы внешним тактовым сигналом (CLK), а сигналы данных – сигналом DQS. Логическое состояние каждого сигнала определяется выборкой по переднему фронту CLK. STD4512M16 – это микросхема памяти DDR4 SDRAM объёмом 8 Гбит. Ключевые технические характеристики:
➢ Рабочее напряжение: VCC = VCCQ = 1,2 В ± 0,06 В, Vpp = 2,5 В (2,375 В~2,75 В)
➢ Объём памяти: 8 Гбит
➢ Структура памяти: 512 Мбит × 16 (64 Мбит × 8 × 4 банка × группа из 2 банков)
➢ Скорость передачи данных: 2666 Мбит/с, 3200 Мбит/с
➢ Удвоенная скорость передачи данных: сигнал данных фиксируется по обоим фронтам системного тактового сигнала
➢ Программируемая задержка CAS
➢ Фиксированная длина пакета: 8
➢ Поддержка режимов самообновления и автоматического обновления
➢ Интервал автоматического обновления: -64 мс, TC < 85 °C, -32 мс, TC > 85 °C
➢ Корпус: 96-контактный BGA, 7,5 x 13 x 1,2 мм, шаг выводов 0,8, пластик
➢ Диапазон температур: A2, от -55°C до +125°C (военный класс)
A1, от -40°C до +105°C (автомобильный класс)
I, от -40°C до +95°C (промышленный класс)