
Этот микросхемный усилитель мощности изготовлен на основе 0,25 мкм технологии GaN HEMT. Диапазон рабочих частот охватывает 1,2 ГГц – 1,6 ГГц, коэффициент усиления по мощности превышает 17 дБ, типичная насыщенная выходная мощность составляет 43 дБм, а типичный коэффициент добавленной мощности (PAE) — 60 %. Микросхема может работать как в импульсном, так и в непрерывном (CW) режиме. Заземление осуществляется через сквозные отверстия на обратной стороне кристалла. Типовое рабочее напряжение: Vd = +28 В, Vg = −2,6 В.
Этот микросхемный усилитель мощности изготовлен на основе 0,25 мкм технологии GaN HEMT. Диапазон рабочих частот охватывает 1,2 ГГц – 1,6 ГГц, коэффициент усиления по мощности превышает 17 дБ, типичная насыщенная выходная мощность составляет 43 дБм, а типичный коэффициент добавленной мощности (PAE) — 60 %. Микросхема может работать как в импульсном, так и в непрерывном (CW) режиме. Заземление осуществляется через сквозные отверстия на обратной стороне кристалла. Типовое рабочее напряжение: Vd = +28 В, Vg = −2,6 В.
Основные характеристики
Диапазон частот: 1,2 ГГц – 1,6 ГГц
Коэффициент усиления по мощности: 17 дБ
Насыщенная выходная мощность: 43 дБм
Коэффициент добавленной мощности (PAE): 60 %
Питание: +28 В @ 0,9 А (в статическом режиме)
Размер кристалла: 2,70 мм × 2,10 мм × 0,10 мм